尔必达首家出货30nm 4GB DDR3笔记本内存条

时间:2010-12-22 23:43来源:未知 作者:admin 点击:
日本存储大厂尔必达今天宣布,全球第一款采用30nm先进工艺的4GB DDR3 SO-DIMM笔记本内存条已经开始试验性出货。 这种内存条使用了16颗DDR3 SDRAM内存颗粒,双面双列安置,总容量4GB,采用标准的240针SO-DIMM封装。 这些新型内存颗粒均采用30nm CMOS工艺制造

日本存储大厂尔必达今天宣布,全球第一款采用30nm先进工艺的4GB DDR3 SO-DIMM笔记本内存条已经开始试验性出货。

这种内存条使用了16颗DDR3 SDRAM内存颗粒,双面双列安置,总容量4GB,采用标准的240针SO-DIMM封装。

这些新型内存颗粒均采用30nm CMOS工艺制造而成,笔记本单颗容量2Gb(256MB),数据传输率最高可达1866MHz(亦即DDR3-1866),供电电压则是标准的1.5±0.075V,运行环境温度0-95℃。

尔必达宣称,相比于上一代40nm工艺,新的30nm工艺可将内存条的运行电流降低20%、待机电流降低30%,达到了行业新低,符合环保节能趋势,也有利于延长电池续航时间;同时新工艺生产线的整体变化不大,有利于降低生产和产品成本。

尔必达计划于2011年第一季度开始量产这种30nm 4GB DDR3内存条,可广泛用于笔记本、上网本、平板机和其他移动便携设备。
 

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